- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/06 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant du sélénium ou du tellure, sous forme non combinée, et ne constituant pas des impuretés pour les corps semi-conducteurs d'autres matériaux
Détention brevets de la classe H01L 21/06
Brevets de cette classe: 195
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
23 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
14 |
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
12 |
Ovonyx Memory Technology, LLC | 502 |
12 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
10 |
International Business Machines Corporation | 60644 |
7 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
6 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
6 |
JSR Corporation | 2476 |
5 |
Entegris, Inc. | 1736 |
5 |
Tessera LLC | 246 |
4 |
Intel Corporation | 45621 |
3 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
3 |
Hynix Semiconductor Inc. | 2644 |
3 |
STMicroelectronics S.r.l. | 3693 |
3 |
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
3 |
Shenzhen Xinguodu Technology Co., Ltd. | 2467 |
3 |
Xerox Corporation | 7503 |
2 |
Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5345 |
2 |
JPMorgan Chase Bank, National Association | 10964 |
2 |
Autres propriétaires | 67 |